NOR FLASH采用“或非”邏輯門(mén)電路，可被電子刪除和重編電子非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體。
 
    閃存(Flash)存儲(chǔ)單元為三端設(shè)備，即源極、漏極和柵極。由于柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏，因此閃存具有記憶力。
 
    NOR閃存擦除數(shù)據(jù)仍基于隧道效應(yīng)（電流從浮置柵極到硅底層），但在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)采用熱電子注入方法（電流從浮置柵極到源極）。在NOR閃存中，每個(gè)存儲(chǔ)模塊的一端連接到源極，另一端連接到類(lèi)似NOR門(mén)的位線(xiàn)。
 
    NOR的XIP特性，應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存中運(yùn)行，無(wú)需在系統(tǒng)RAM中查看代碼。NOR傳輸效率高，1-4MB體積小時(shí)成本效率高，但寫(xiě)入和擦除速率低，對(duì)其特性影響很大。
 
    NOR FLASH屬于非易失性存儲(chǔ)，NOR讀取速度快，適用于可擦除寫(xiě)入，作為代碼存儲(chǔ)的關(guān)鍵器件。
 
    NOR作為原始代碼的載體，廣泛應(yīng)用于各個(gè)智能行業(yè)。主板BIOS、數(shù)字機(jī)頂盒、家庭網(wǎng)關(guān)、路由器、loT、汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備、安全監(jiān)控、人工智能等方面。其中，智能可穿戴、AMOLED屏幕、手機(jī)攝像、lot設(shè)備、汽車(chē)電子、5G基站、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、虛擬現(xiàn)實(shí)等都有很大的增長(zhǎng)空間。


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